Septorê Bermîla Grafîtê ya Bi SiC Ve Hatî Pêçandin

Di çêkirina nîvconductorên tevlihev ên nûjen de - bi taybetî epitaksiya SiC û GaN - kalîteya jîngeha germî ya di hundurê reaktorekê de rasterast yekrengî, dendika kêmasiyan, û dubarekirina fîlmên epitaksiyal diyar dike. Süsceptor-a Barrel Graphite Coated SiC ya Semixlabê ji bo bicîhanîna hewcedariyên her ku diçe dijwartir ên reaktorên CVD yên germahiya bilind ên ku di hilberîna cîhazên hêzê yên bandgap fireh de têne bikar anîn hatiye çêkirin. Bi hevberkirina grafîta paqijiya bilind bi pêçek SiC ya bi rastî hatî çêkirin, susceptor di seranserê pêvajoyên epitaksiyal ên germahiya bilind û demdirêj de yekrengiya germî, aramiya kîmyewî, û pêbaweriya mekanîkî ya bêhempa peyda dike.

Di bingeha performansa wê de mîmariya pêçandina taybet a Semixlab-ê heye, ku bersivdayîna germî û germî ya ku ji bo kontrola germahiya asta waferê ya stabîl girîng e, zêde dike. Pêçandina SiC wekî astengiyek kîmyewî ya bêbandor li dijî kîmyewiyên klorî yên korozîf ên ku bi gelemperî di epitaksiya SiC de têne bikar anîn tevdigere, pêşî li hilweşîna grafîtê digire û çavkaniyek sereke ya çêbûna perçeyan ji holê radike. Ev parastin astên qirêjiya pir kêm peyda dike û dibe alîkar ku hawîrdorek reaksiyonê ya paqij were parastin, tewra di bin şert û mercên pêvajoyê yên dijwar ên ku ji 1500 °C derbas dibin de jî. Geometrîya bermîlê ji bo afirandina qadek herikîna gazê ya stabîl û hevseng li seranserê gelek waferan hatî çêkirin, guherîna qata sînor kêm dike û di reaktorên epitaksiyal ên pir-wafer de qalindahiya fîlimê û yekrengiya dopingê ya hêja gengaz dike.

Ji aliyê pêbaweriya mekanîkî ve, pêça SiC ya Semixlab-ê di nav çerxên germî yên dubarekirî û barkirina waferê ya giraniya bilind de yekparebûna avahîsaziyê diparêze. Qalindahiya pêça endezyarî, avahiya SiC ya mîkro-kristalîn, û lihevhatina berfirehbûna germî bi substrata grafîtê re bi hev re dixebitin da ku xişandina rûyê kêm bikin û pêşî li rijandina mîkro-parçeyan di temenê karûbarê dirêj de bigirin. Ev rasterast beşdarî hilberîna bilindtir û frekansa lênêrînê ya kêmtir ji bo amûrên epitaksî dibe.

Ji bo kargehên ku hilberîna cîhazên hêza SiC zêde dikin, susceptor wekî çalakkerek girîng a kalîteya epi ya domdar kar dike. Ew belavkirina germahiya waferê stabîl dike, girêdana germî ya kontrolkirî diparêze, substratan ji qirêjiya nexwestî diparêze, û hawîrdorek reaksiyonê ya dubarekirî û yekreng piştgirî dike. Bi saya vê tevliheviya domdarî, paqijiyê û rastbûna germî, Barrel Susceptor ya Semixlab alîkariya hilberîneran dike ku kontrola pêvajoyê ya hişktir, performansa elektrîkê ya qatên epitaksiyal ên çêtir, û pêbaweriya bilindtir a MOSFET, dîod û modulên hêzê yên SiC bi dest bixin.

Semixlab SiC Coated Graphite Barrel Susceptor, ku ji bo lihevhatina bi platformên sereke yên epitaksî yên SiC yên vertîkal û horizontal hatiye sêwirandin, ji bo xetên hilberînê yên bi qebareya bilind ên ku li pêkhateyên temendirêj û performansa pêşbînîkirî digerin îdeal e. Her yekîne di bin standardên kalîfîkasyona materyalê û rastbûna pîvanan ên hişk de tê hilberandin, ku performansa domdar li seranserê koman misoger dike. Bi pisporiya Semixlab di endezyariya pêvajoyên materyalên pêşkeftî û nîvconductor de, hilber ji fabrîqeyan re çareseriyek pêbawer û pêvajoyê-îsbatkirî peyda dike ku piştgirî dide başkirinên pîvandî di hilberînê, yekrengiya waferê, û dema xebitandina amûran de - hem daxwazên performansa pîşesaziyê û hem jî fikarên lêçûna xwedîtiyê yên demdirêj çareser dike.