Grafîta porous

Grafîta poroz bi giranî di pêvajoya mezinbûna krîstala yekane ya PVT (veguhestina buxara fîzîkî) ya silicon carbide (SiC) de tê bikar anîn, materyalê bingehîn ê pergala zeviya germî ya germahiya bilind e. Berhem ji grafîta îzostatîkî ya pêçandî ya paqijiya ultra-bilind tê çêkirin, ku bi rêya makîneya CNC ya rastîn û teknolojiya kontrolkirina poran avahiyek poroz a yekreng û kontrolkirî çêdike, û di bin şert û mercên pêvajoyê yên dijwar de (2200℃) performansek hêja peyda dike. Sêwirana wê ya bêhempa yekrengiya zeviya germî bi girîngî baştir dike û karîgeriya veguhastina qonaxa gazê çêtir dike, ku garantiyek sereke ye ji bo mezinbûna krîstala SiC ya bi kalîte bilind.

Taybetmendiyên sereke û avantajên pêvajoyê:

Paqijiya zêde û rêjeya kêmasiyên kêm

Pêvajoya paqijkirina germahiya bilind a valahiyê (dermankirina 3000℃) ji bo kêmkirina bêtir naveroka qirêjiyên ne-metalîk ên wekî oksîjen û nîtrojenê tê bikar anîn. Kêmasiyên krîstal ên ji ber qirêjiyê çêdibin (wekî mîkrotubul, cihêbûn) ji holê radikin da ku yekrengiya performansa elektrîkê ya krîstalên yekane yên SiC were misoger kirin.

Aramiya germahiya pir bilind û kontrola zeviya germî

Di hawîrdora argon/vakuumê de, ew dikare li hember xebata domdar a 2200℃ ji bo zêdetirî 1000 demjimêran, katsayiya nizm a berfirehbûna germî, û şikestina materyalê ya ji ber stresa germî dûr bisekine.

Porozîtî sêwirana belavkirina gradyantê piştgirî dike, digel simulasyona CFD-ê da ku mezinahiya poran (10-200μm) baştir bike, belavkirina qada germî bi rastî birêkûpêk bike, guherîna gradyanta germahiyê kêm bike (di nav ±3℃ de), û yekrengiya mezinbûna krîstalê baştir bike.

Çareseriyên xwerû

Adaptasyona geometrîk: Piştgiriya pêvajoya şeklê tevlihev (wek mînak xaçerêya halqeyî, mertalê pir-qatî), avahiya firna xerîdar a lihevhatî.

Dermankirina rûberê: Ji bo zêdekirina berxwedana korozyonê û temenê xizmetê, karûbarên cilkirin an pêçandina pir rast peyda bikin.

Verastkirina performansa serîlêdanê

Di pêvajoya krîstalîzasyona PVT SiC de, wekî pêkhateyek xaç û zeviya germî:

Rêjeya mezinbûna krîstalan bi rêjeya 15%-20% zêde bike (li gorî grafîta kevneşopî);

Berhema waferê ji %90 zêdetir zêde bû (4 înç krîstala yekane ya SiC);

Demê lênêrînê yê alavan heta 6 mehan tê dirêjkirin (3 mehên asayî).

Quick Detail:

1. Navên din: PVT grafît crucible, mezinbûna silicon carbide bi grafîta poroz.

2. Bikaranîn: Rêbaza PVT (rêbaza veguhastina gaza fîzîkî) Pêkhateya zeviya germî ya navika mezinbûna krîstala yekane ya SiC.

3. Parametreyên bingehîn: paqijî ≥99.9995%, porozîte 15-30%, berxwedana germahiyê 2200℃ (jîngeha gaza bêbandor), rêjebûna germahiyê 100-150 W/m·K.

Meclîsa firna mezinbûna PVT: Wekî beşek ji sublimasyona materyalê SiC û mezinbûna krîstalê, belavkirina qada germî ya stabîl peyda dike.

Pêkhateya parastina zeviya germî: avahiya poroz bi bandor stresa germî kêm dike û temenê karûbarê alavan dirêj dike.

Kelepçeya krîstala tov: hêza mekanîkî ya bilind ji bo piştgiriya krîstala tov, da ku mezinbûna arasteyî ya krîstalê misoger bike.

Qata belavbûna gazê: karîgeriya veguhastina qonaxa gazê baştir bike, qalîteya krîstala yekane û rêjeya mezinbûnê baştir bike.

Performansa germahiya ultrabilind: di 2200℃ de deformasyona nermkirinê tune, ji 1000 demjimêran zêdetir xebata domdar a domdar piştgirî dike.

Sêwirana zeviya germî ya xwerû: Bi simulasyona CFD re tê hev kirin da ku gradyana poran çêtir bike, yekrengiya krîstalê û hilberînê baştir bike.

Xizmeta dubarekirina bilez: ceribandina hevahengiya parametreyên pêvajoyê peyda bikin û çareseriya prototîpê di nav 72 demjimêran de radest bikin.