Grafîta Nerm a Nîvconductor Felt

Felta Grafîtê ya Nerm a Semiconductor materyalek rêveberiya germî ya paqijiya bilind û berxwedêrê germahiya bilind e ku bi taybetî ji bo pêvajoyên hilberîna nîvconductor di bin şert û mercên germî yên dijwar de hatî çêkirin. Di alavên nîvconductor ên pêşkeftî de, nemaze yên ku ji bo mezinbûna krîstala karbîda silîkonê (SiC), epitaksî û dermankirina germê ya germahiya bilind têne bikar anîn, kontrola rastîn a jîngeha germî ji bo performansa pêvajoyê û kalîteya materyalê girîng e. Felta Grafîtê ya Nerm a Semixlabê di nav van pergalên daxwazkar de wekî materyalê îzolasyona germî û stabîlîzasyona qada germî ya bingehîn kar dike.

Di pêvajoyên mezinbûna krîstala yekane ya SiC de wekî Veguhestina Buxara Fizîkî (PVT), felta grafît di îstîqrarkirina qada germî ya firnê de roleke girîng dilîze. Fela Grafît wekî çînek îzoleker û tamponê li dora xaçerêyan û deverên germkirinê kar dike, windabûna germê ya radyal û eksenî kêm dike di heman demê de gradyantên germahiyê di hundurê odeya mezinbûnê de nerm dike. Ev jîngeha germî ya kontrolkirî ji bo parastina hevsengiya sublîmasyon-rekristalîzasyonê ya stabîl girîng e, ku rasterast bandorê li rêjeya mezinbûna krîstal, dendika kêmasiyan, û îstîqrara mezinbûna demdirêj dike. Avahiya nerm û bi hêsanî qalibkirî ya Fela Grafît a Nerm adaptasyona rast bi geometrîyên firnê yên tevlihev re gengaz dike, û şert û mercên germî yên dubarekirî di seranserê çerxên mezinbûna dirêj de bi dest dixe.

Ji bo pêvajoyên belavbûna germahiya bilind, germkirin û sinterkirinê yên ku di çêkirina nîvconductoran de hevpar in, hestiya grafîta nerm a nîvconductor wekî navgînek îzolekirina germî ya pêbawer kar dike, û di bin çerxên germî yên dubarekirî de yekparebûna avahîsaziyê diparêze. Dema ku di valahî an atmosferên bêbandor de di germahiyên ku bi gelemperî ji 2000 °C derbas dibin dixebite, Îzolasyona Nerm windabûna germa qalikê firnê kêm dike, karîgeriya enerjiyê zêde dike, û belavkirina germahiyê ya yekreng di nav qada pêvajoyê de pêş dixe. Konduktîvîteya wê ya germî ya kêm û berxwedana wê ya şoka germî ya hêja zextê li ser alav û materyalên pêvajoyî kêm dike, encamên domdar misoger dike û temenê alavan dirêj dike.

Di pêvajoyên epitaksî yên SiC û GaN de, reaktorên epitaksî bi gelemperî di germahiyên bilind de dixebitin ku şert û mercên pir aram hewce dikin. Graphite Soft Felt aramiya germî û îzolekirina jîngehê di nav pêkhateyên reaktorê de zêde dike. Wekî îzolasyonek navxweyî û materyalek tamponê germî, ew belavkirina germahiyê ya yekreng pêş dixe û destwerdana germî ya derveyî kêm dike, bi awayekî nerasterast yekrengiya çîna epitaksî û dubarekirina pêvajoyê baştir dike. Paqijiya bilind a grafîta felta Semixlab bi taybetî di van jîngehan de girîng e, ji ber ku ew dibe alîkar ku şert û mercên pêvajoyê yên paqij biparêze û xetera qirêjiya nexwestî ya ku dikare kalîteya fîlma epitaksîyal xera bike kêm dike.

Felta Grafîtê ya Nerm a Semixlab'ê ji materyalên pêşeng ên karbonê yên premium û pêvajoyên çêkirina rasthatî tê çêkirin, ku berxwedana germahiya bilind, îhtîmala germahiya nizm û nermbûna mekanîkî ya bêhempa bi hev re dike yek. Ev taybetmendî di hawîrdorên çêkirina nîvconductor ên daxwazkar de xebitandina demdirêj a domdar dihêlin, di heman demê de sazkirin, şekilkirin û entegrasyona bênavber di nav cûrbecûr sêwiranên firin û reaktorê de pêşkêş dikin. Bi karanîna pisporiya Semixlab'ê di materyalên nîvconductor ên pêşkeftî û çareseriyên germî de, ev hilber wekî materyalek bingehîn a neçar ji bo pêvajoyên nîvconductor ên germahiya bilind xizmet dike. Di heman demê de, Semixlab pabend e ku şêwirmendiya teknîkî ya profesyonel û çareseriyên hilberên xwerû ji xerîdarên cîhanî re peyda bike. Em bi dilgermî li bendê ne ku bibin hevkarê we yê demdirêj ji bo materyalên îzolasyona germî û stabîlîzasyona zeviya germî di pîşesaziya nîvconductor a Çînê de.