Qeyika Seramîk a SiC

Qeyika seramîk a SiC pêkhateyeke berxwedêr a germahiya bilind e ku ji silîkon karbîda paqijiya bilind hatiye çêkirin, ku bi berfirehî di sepanên nîvconductor, fotovoltaîk û dermankirina germahiya materyalan de tê bikar anîn. Ew aramiya germî ya awarte pêşkêş dike (li hember germahiyên li jor 1600°C li ber xwe dide), berfirehbûna germî ya nizm, û berxwedana şoka germî ya berbiçav, digel berxwedana korozyonê ya bihêz di hawîrdorên asîdî û alkalîn de. Sêwirana wê ya avahîsaziyê ya bêhempa deformasyona herî kêm di bin germahiya zêde de misoger dike dema ku rêberiya germî û îzolasyona hêja diparêze. Ew bi taybetî ji bo pêvajoyên rastîn ên wekî belavbûna wafer, pêvajoya oksîdasyonê û mezinbûna epitaksiyal a MOCVD guncan e. Berhem bi makîneya rastîn bi qedandina rûyê bilind tê çêkirin, û dikare di mezinahî û celebên xendekên cûda de were xweş kirin, ku dikare yekrengiya pêvajoyê bi girîngî baştir bike û temenê xizmetê dirêj bike. Ew hilbijartinek îdeal e ku li şûna amûrên quartz û grafîtê yên kevneşopî were danîn.

Bikaranînî:

Qeyika Seramîk a SiC amûrek hilgirê germahiya bilind e ku ji materyalê karbîda silîkonê hatiye çêkirin, ku bi berfirehî di çêkirina nîvconductor, pîşesaziya fotovoltaîk û qada dermankirina germahiya germahiya bilind de tê bikar anîn. Di belavbûn, oksîdasyon, germkirin û pêvajoyên din de, ew dikare bi awayekî stabîl waferên silîkonê, wafer û materyalên din hilgire, û yek ji madeyên sereke yên xerckirinê ye ji bo hilberîna pêkhateyên elektronîkî yên asta bilind.

Xizmetên ku dikarin werin pêşkêş kirin:

analîza senaryoya serlêdana xerîdar, materyalên hevber, çareserkirina pirsgirêkên teknîkî.

Profîla pargîdanî:

Semixlab xwedî 2 laboratuwaran, tîmek pisporan e ku 20 sal ezmûna materyalan heye, bi kapasîteyên R&D û hilberîn, ceribandin û verastkirinê.

Parameters teknîkî

Qadên serîlêdanê yên sereke

Pesendkirina verastkirina zincîra ekolojîk

Verastkirina zincîra ekolojîk a qeyika seramîk a Semixlab SiC ji madeyên xav heta hilberînê vedihewîne, sertîfîkaya standard a navneteweyî derbas kiriye, û hejmarek teknolojiyên patentkirî hene da ku pêbawerî û domdariya wê di warên nîvconductor û enerjiya nû de misoger bike.

Pêvajoya serlêdanê ya tîpîk

Amadekirina Madeyên Xav (Hilbijartina toza SiC) → Pêvajoya Qalibkirinê → Hişkkirin û paqijkirina rûn → Sinterkirin → Pêvajoya Piştî-pêvajoyê (Dermankirina rûberê: Polishing an pêçandin) → Kontrola Kalîteyê û Ceribandinê

Bi pêşveçûna bilez a pîşesaziyên nîvconductor, fotovoltaîk û enerjiya nû re, daxwaza bazarê ji bo qeyikên seramîk ên SiC yên paqijiya bilind dê berdewam bike ku berfireh bibe. Qeyikên seramîk ên Semixlab SiC hêdî hêdî di warên sepanên asta bilind de cîhê îtxalatê digirin bi baştirkirina paqijiya materyalan, çêtirkirina pêvajoyên pêçandinê û şikandina teknolojiya hilberîna mezin.

Ji bo taybetmendiyên teknîkî yên berfireh, kaxezên spî, an rêziknameyên ceribandina nimûneyan, ji kerema xwe bi Tîma Piştgiriya Teknîkî ya me re têkilî daynin da ku hûn lêkolîn bikin ka Semixlab çawa dikare karîgeriya pêvajoya we zêde bike.

Avantajên bingehîn ên qeyika seramîk a Semixlab SiC

Berxwedana Şokê ya Termal a Bilind

Materyalê silîkon karbîdê bi xwe xwedî katsayiyeke berfirehbûna germî ya pir nizm e, ku dihêle qeyikên seramîk ên SiC di bin guherînên germahiyê yên bilez de yekparebûna avahîsaziyê biparêzin û ji şikestin an deformasyonê dûr bisekinin. Ev taybetmendî bi taybetî ji bo pêvajoyên bilindbûn û daketina germahiyê ya bilez guncaw e, temenê karûbarê hilberê pir dirêj dike û frekansa guheztinê û lêçûnên lênêrînê yên xerîdar kêm dike.

îstîqrara kîmyewî ya bilind

Qeyikên seramîk ên SiC li hember asîd, alkalî û gazên korozîf berxwedanek xurt nîşan didin, û dikarin performansa xwe ya sabît di hawîrdorên korozîf ên germahiya bilind de jî biparêzin. Ev avantaj wê dike amûrek hilgir a bêguherîn di pêvajoyên danîna buxara kîmyewî (CVD) an belavbûnê de, û hevgirtina pêvajoyê û hilberîna hilberê misoger dike.

Hêza Mekanîkî ya Bilind û Berxwedana Lihevhatinê

Li gorî materyalên kuartz an grafîtê yên kevneşopî, seramîkên karbîda silîkonê xwedî hişkbûnek bilindtir, berxwedana li hember aşînê ya berbiçav in, û dikarin li hember destwerdana frekanseke bilind û xişandinê li ber xwe bidin. Di pêvajoya hilberîna domdar de, hilber ne hêsan e ku perçeyên perçeyan birijîne, ji pirsgirêkên qirêjiyê yên ji ber windabûna materyalê dûr dikeve, û bi taybetî ji bo girêdanên hilberîna nîvconductor bi daxwazên paqijiyê yên hişk guncan e.

Karîgeriya Enerjiyê û Gehîneriya Germahiya Bilind

Germahiya materyalên SiC ji seramîkên asayî pir zêdetir e, ku dikare veguhestina germê ya bilez û yekreng pêk bîne, karîgeriya pêvajoyê bi girîngî baştir bike û xerckirina enerjiyê kêm bike. Ev taybetmendî alîkariya xerîdaran dike ku çerxên hilberînê kurt bikin di heman demê de xerckirina enerjiyê kêm bikin, ku ev yek li gorî meyla pêşkeftina pîşesaziyê ya hilberîna kesk e.